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viernes, 8 de abril de 2011

Técnica de identificación del transistor BJT:

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Comprobación de transistores:


Estructura interna:


  Mediante un método sencillo se puede determinar si un transistor desconocido es del tipo PNP o NPN y si este se encuentra en buen estado ;mediante una técnica que se describirá a continuación. Este método consiste en tomar varias medidas, con el polímetro utilizado como óhmetro en el rango de 100, de las resistencias que aparecen entre los diferentes terminales del transistor.

  La medición de un transistor es análoga a la de un diodo. Tanto entre base y emisor como también entre base y colector deben obtenerse resultados como un diodo normal.
Primeramente, determinemos cuál de los terminales del transistor corresponde a la base. Esto se consigue midiendo la resistencia en el óhmetro entre los diferentes terminales. En un transistor en buen estado, la resistencia entre el colector y el emisor es siempre muy alta, cualquiera que sea la polaridad aplicada por el óhmetro (que no olvidemos que en las puntas del polímetro actúa como una fuente de tensión); cuando hagamos esta verificación, el otro terminal corresponderá a la base.
  Una vez localizada la base, conectamos la punta de prueba positiva en la misma y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales del transistor: si la resistencia obtenida es muy baja (se ha polarizado la unión de uno de los diodos por el efecto de tensión positiva aplicada con el óhmetro a la base P) se trata de un transistor NPN; si obtenemos una resistencia muy baja (no se ha polarizado la unión) se trata de un transistor PNP.
  Nos puede servir de ayuda la siguiente tabla donde se indican las medidas de resistencia que se dan en cada caso para los dos tipos de transistores.
Punta rojaPunta negraPNP - Medida del Óhmetro NPN - Medida del Óhmetro
ColectorEmisorAlta resistencia  Alta resistencia
EmisorColectorAlta resistencia   Alta resistencia
EmisorBaseBaja resistencia                        Alta resistencia
BaseEmisorAlta resistenciaBaja resistencia
BaseColectorAlta resistenciaBaja resistencia
ColectorBaseBaja resistenciaAlta resistencia

 Por este sencillo procedimiento también se puede llegar a averiguar cuál de los terminales corresponde al emisor y cuál al colector. Para ello, hay que tener en cuenta que:
  • La resistencia y tensión de barrera de la unión base-colector es algo menor que la correspondiente a la unión base-emisor.
Esta diferencia es más apreciable si medimos la tensión de barrera con un polímetro digital.

Denominaciones:

La siguiente tabla ofrece notas sobre la clasifiación y las denominaciones:
AC...Transistor de baja frecuencia (germanio)
AD...Transistor de potencia (germanio)
AF...Transistor de alta frecuencia (germanio, 4 patillas)
AN...Transistor de pequeña señal (japonés)
BC...Transistor de baja frecuencia (silicio)
BD...Transistor de potencia, conmutación (silicio)
BF...Transistor de (potencia) alta Frecuencia (Si,4p)
BU...Transistor de potencia de alta tensión (silicio)
BUZ..., IRF...MOSFET de alta potencia
  Muchos fabricantes también producen series a medida para un gran volumen destinado a determinados clientes. Estas series están optimizadas para ser empleadas en una determinada parte de un circuito concreto. Es recomendable revisar el manual NTE,CGE ó datasheep de dicho componente para conocer a fondo sus caracteristicas pero este metodo proporciona un conocimiento acerca del estado del transistor .
Fuente:
Recreateoficial

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